对于NAND闪存，Micron美光半导体所做的远不止是设计和生产制造。Micron美光半导体在特性、功能和性能方面不断突破，以此来优化设计，解决各项设计难题。

无论是面对工业和汽车应用环境在极端温度和性能方面的需求，还是面对应用环境对企业级系统规格准确性的严格要求，Micron美光半导体都能提供可满足你的设计要求的理想解决方案。

Micron美光半导体不断在制程和设计方面进行创新，持续推进了 NAND 的开发工作，推出行业领先的 20 纳米 NAND 就是最好的证明。Micron美光半导体推出了多样化的产品组合，每种都具有不同的特点、功能和性能，可满足你在元件方面的特定需求。

30 多年来，Micron美光半导体一直在开发尖端的存储技术。在创新和技术领域长久以来所保持的领先地位让Micron美光半导体得以打造出了丰富的 NAND 闪存产品。借助性能出色的 NAND 产品（涵盖了从移动存储应用到嵌入式存储应用再到企业级存储应用的各个领域），Micron美光半导体总能帮你找到可满足你设计要求的理想解决方案。

Micron美光半导体的NAND闪存分为以下几种：

SLC NAND：

P/E 周期耐用性最高达到 100000

吞吐速度之快居各种 NAND 技术（MLC [多级单元]、TLC [三级单元]）之首

与 ONFI 同步接口兼容

MLC NAND：

可靠的性能和耐用性，ECC 复杂度低

密度是 SLC NAND 的两倍，且每比特的成本更低

与 ONFI 同步接口兼容

TLC NAND：

与 SLC（单级单元）NAND 或 MLC NAND （多级单元）相比，相同空间内的密度更高，成本却更低

串行NAND：

支持大型存储子系统

能效提高

性能出色，能耗低

带宽增加