Micron美光半导体亲自设计、生产制造和测试所有DRAM存储器模组——模组的整个打造过程都由Micron美光半导体亲力亲为，然后组装模组并再次测试。因此，无论是高性能的 SODIMM 还是高密度的 LRDIMM，Micron美光半导体的元件都拥有值得你信赖的卓越质量和可靠性。

 

无论是面对工业和汽车应用环境在极端温度和性能方面的需求，还是面对应用环境对企业级系统规格准确性的严格要求，Micron美光半导体都能提供可满足你的设计要求的理想解决方案。

 

Micron美光半导体的DRAM存储器模组分为以下几种：

 

FBDIMM：

先进的存储缓冲

改良的错误检测

扩展的存储容量

出色的可靠性和兼容性

扩展的温度范围

 

RDIMM：

丰富的密度选项

灵活的配置

扩展的温度范围

可靠的质量

 

VLP RDIMM：

超低型 (VLP)

扩展的存储容量

出色的性能

高度可靠

 

VLP UDIMM：

超低型 (VLP)

无缓冲

扩展的存储容量

出色的性能

高度可靠

 

UDIMM：

丰富的密度选项

无缓冲

可选的 ECC

扩展的温度范围

 

SODIMM：

外形小巧

密度高

灵活的配置

 

SORDIMM：

缓冲时钟、指令和地址信号

PLL

温度传感器

 

VLP Mini-DIMM：

超低型 (VLP)

外形小巧

ECC

可选的 PLL 和缓冲

 

LRDIMM：

低负载 DIMM (LRDIMM)

支持高密度

低电压选项

ECC

 

Mini-DIMM：

外形小巧

ECC

可选的 PLL 和缓冲

灵活的配置

 

NVDIMM：

提升热数据性能，加快业务应用运行速度

实现比电池或 UPS 更低的总体拥有成本

发生断电时保存关键数据

可集成到标准 x86 服务器和存储架构中

采用无铅超级电容器