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NAND04GW3C2BN6E
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NAND04GW3C2BN6E技术资料
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NAND04GW3C2BN6E
存储器芯片
制造厂商：
美光半导体(Micron)
功能简述：
IC FLASH 4GBIT 48TSOP
原厂封装：
48-TSOP
优势价格，NAND04GW3C2BN6E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NAND04GW3C2BN6E的技术资料下载
NAND04GW3C2BN6E的功能参数资料 - 美光(Micron)提供
Micron美光半导体完整型号：NAND04GW3C2BN6E
制造厂家名称：Micron Technology Inc
描述：IC FLASH 4GBIT 48TSOP
系列：-
格式 - 存储器：闪存
存储器类型：闪存 - NAND
存储容量：4G（512M x 8）
速度：-
接口：并联
电压 - 电源：2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：-40°C ~ 85°C
Micron美光半导体封装：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：48-TSOP（12x20）
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