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NAND02GW3B2DN6E
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NAND02GW3B2DN6E技术资料
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NAND02GW3B2DN6E
存储器芯片
制造厂商:
美光半导体(Micron)
功能简述:
IC FLASH 2GBIT 48TSOP
原厂封装:
48-TSOP
优势价格,NAND02GW3B2DN6E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NAND02GW3B2DN6E的技术资料下载
NAND02GW3B2DN6E的功能参数资料 - 美光(Micron)提供
Micron美光半导体完整型号:NAND02GW3B2DN6E
制造厂家名称:Micron Technology Inc
描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP
系列:-
格式 - 存储器:闪存
存储器类型:闪存 - NAND
存储容量:2G(256M x 8)
速度:-
接口:并联
电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
工作温度:-40°C ~ 85°C
Micron美光半导体封装:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
供应商器件封装:48-TSOP(12x20)
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