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MT41K512M8RH-125:E TR的图片

MT41K512M8RH-125:E TR

存储器芯片

制造厂商：美光半导体(Micron)

功能简述：IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA

原厂封装：78-FBGA

优势价格，MT41K512M8RH-125:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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MT41K512M8RH-125:E TR的功能参数资料 - 美光(Micron)提供

Micron美光半导体完整型号：MT41K512M8RH-125:E TR

制造厂家名称：Micron Technology Inc

描述：IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA

系列：-

格式 - 存储器：RAM

存储器类型：DDR3L SDRAM

存储容量：4G（512M x 8）

速度：800MHz

接口：并联

电压 - 电源：1.283 V ~ 1.45 V

工作温度：0°C ~ 95°C

Micron美光半导体封装：78-TFBGA

供应商器件封装：78-FBGA （9x10.5）

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