MT41K512M16TNA-125:E TR

存储器芯片

制造厂商：美光半导体(Micron)

功能简述：IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ FBGA

原厂封装：96-FBGA

优势价格，MT41K512M16TNA-125:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

MT41K512M16TNA-125:E TR的功能参数资料 - 美光(Micron)提供

Micron美光半导体完整型号：MT41K512M16TNA-125:E TR

制造厂家名称：Micron Technology Inc

描述：IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ FBGA

系列：-

格式 - 存储器：RAM

存储器类型：DDR3L SDRAM

存储容量：8G（512M x 16）

速度：800MHz

接口：并联

电压 - 电源：1.283 V ~ 1.45 V

工作温度：0°C ~ 95°C

Micron美光半导体封装：96-TFBGA

供应商器件封装：96-FBGA（10x14）

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