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MT29F2G16ABBEAH4:E TR的图片

MT29F2G16ABBEAH4:E TR

存储器芯片

制造厂商：美光半导体(Micron)

功能简述：IC FLASH 2GBIT 63VFBGA

原厂封装：63-VFBGA

优势价格，MT29F2G16ABBEAH4:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

MT29F2G16ABBEAH4:E TR的技术资料下载

电话询问价格

MT29F2G16ABBEAH4:E TR的功能参数资料 - 美光(Micron)提供

Micron美光半导体完整型号：MT29F2G16ABBEAH4:E TR

制造厂家名称：Micron Technology Inc

描述：IC FLASH 2GBIT 63VFBGA

系列：-

格式 - 存储器：闪存

存储器类型：闪存 - NAND

存储容量：2G（128M x 16）

速度：-

接口：并联

电压 - 电源：1.7 V ~ 1.95 V

工作温度：0°C ~ 70°C

Micron美光半导体封装：63-VFBGA

供应商器件封装：63-VFBGA（9x11）

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