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MT29F2G08ABBEAH4:E TR
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MT29F2G08ABBEAH4:E TR价格
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MT29F2G08ABBEAH4:E TR技术资料
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MT29F2G08ABBEAH4:E TR
存储器芯片
制造厂商:
美光半导体(Micron)
功能简述:
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
原厂封装:
63-VFBGA
优势价格,MT29F2G08ABBEAH4:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MT29F2G08ABBEAH4:E TR的技术资料下载
MT29F2G08ABBEAH4:E TR的功能参数资料 - 美光(Micron)提供
Micron美光半导体完整型号:MT29F2G08ABBEAH4:E TR
制造厂家名称:Micron Technology Inc
描述:IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
系列:-
格式 - 存储器:闪存
存储器类型:闪存 - NAND
存储容量:2G(256M x 8)
速度:-
接口:并联
电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V
工作温度:0°C ~ 70°C
Micron美光半导体封装:63-VFBGA
供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
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