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JR28F064M29EWBA
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JR28F064M29EWBA技术资料
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JR28F064M29EWBA
存储器芯片
制造厂商:
美光半导体(Micron)
功能简述:
IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP
原厂封装:
48-TSOP
优势价格,JR28F064M29EWBA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
JR28F064M29EWBA的技术资料下载
JR28F064M29EWBA的功能参数资料 - 美光(Micron)提供
Micron美光半导体完整型号:JR28F064M29EWBA
制造厂家名称:Micron Technology Inc
描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP
系列:-
格式 - 存储器:闪存
存储器类型:FLASH - NOR
存储容量:64M(8M x 8,4M x 16)
速度:70ns
接口:并联
电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
工作温度:-40°C ~ 85°C
Micron美光半导体封装:48-TFSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:48-TSOP(12x20)
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