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JR28F032M29EWBA
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JR28F032M29EWBA技术资料
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JR28F032M29EWBA
存储器芯片
制造厂商：
美光半导体(Micron)
功能简述：
IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP
原厂封装：
48-TSOP
优势价格，JR28F032M29EWBA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
JR28F032M29EWBA的技术资料下载
JR28F032M29EWBA的功能参数资料 - 美光(Micron)提供
Micron美光半导体完整型号：JR28F032M29EWBA
制造厂家名称：Micron Technology Inc
描述：IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP
系列：-
格式 - 存储器：闪存
存储器类型：FLASH - NOR
存储容量：32M（4M x 8，2M x 16）
速度：70ns
接口：并联
电压 - 电源：2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：-40°C ~ 85°C
Micron美光半导体封装：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：48-TSOP（12x20）
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JR28F032M29EWLA
存
JR28F032M29EWBB TR
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PC28F640P30TF65A
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MT5LSDT872AG-133G1
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M29F400BB55M1
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N25Q128A13E12A0F TR
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